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Impact of Gate Drain Spacing on Low-Frequency Noise Performance of In Situ SiN Passivated InAlGaN/GaN MIS-HEMTs
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 64; 7, 2820-2825Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Optimized ohmic contacts for InAlGaN/GaN HEMTs
ASDAM 2022 - 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice, 23-10-2022, IEEE, 2022Communication dans un congrès avec actestexte intégral