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Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants
Berthet, F.; Guhel, Y.; Galous, H.; et al.17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, Brest, 2011, Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011Communication dans un congrès avec actes -
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
Berthet, F.; Guhel, Y.; Gualous, H.; et al.Elsevier, 2012Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
Berthet, F.; Guhel, Y.; Gualous, H.; et al.Microelectronics Reliability, Elsevier, 09-2012, 52; 9-10, 2159 - 2163Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN
Berthet, F.; Guhel, Y.; Galous, H.; et al.17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, Brest, 2011, Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011Communication dans un congrès avec actes -
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
Berthet, F.; Guhel, Y.; Gualous, H.; et al.Elsevier, 2011Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
Berthet, F.; Guhel, Y.; Gualous, H.; et al.Microelectronics Reliability, Elsevier, 09-2011, 51; 9-11, 1796 - 1800Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose
Guhel, Y.; Boudart, B.; Gaquiere, Christophe; et al.Electronics Letters, IET, 2010, 46, 650-652Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation
Berthet, Fanny; Guhel, Yannick; Boudart, B.; et al.Rencontres Jeunes Chercheurs, Annecy, 2010Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs
Berthet, F.; Guhel, Y.; Boudart, B.; et al.Electronics Letters, IET, 2012, 48, 1078-1079Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Influence of thermal and fast neutron irradiation on DC electrical performances of AlGaN/GaN transistors
Berthet, F.; Guhel, Y.; Boudart, B.; et al.IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 59, 2556-2561Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
[Review] Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Berthet, F.; Guhel, Y.; Gualous, H.; et al.Solid-State Electronics, Elsevier, 2012, 72, 15-21Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral