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Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment
Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Benazzi, Davide; et al.Microelectronics Reliability, Elsevier, 2019, 100-101, 113461Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: a comprehensive study based on a sequential growth experiment
Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Benazzi, Davide; et al.30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Toulouse, 23-09-2019, 2019 ESREF proceedingCommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications
Kabouche, Riad; Derluyn, Joff; Püsche, Roland; et al.13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018), Madrid, 23-09-2018, 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), IEEECommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
GaN-on-Silicon buffer decomposition experiment: analysis of the vertical leakage current
Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Benazzi, Davide; et al.43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, cabourg, 17-06-2019, 2019 WOCSDICE proceedingCommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
High breakdown voltage and low buffer trapping in superlattice GaN-on-silicon heterostructures for high voltage applications
Tajalli, Alaleh; Meneghini, Matteo; Besendörfer, Sven; et al.Materials, MDPI, 25-09-2020, 13; 19, 4271Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Low on-resistance and low trapping effects in 1200 V superlattice GaN-on-silicon heterostructures
Kabouche, Riad; Abid, Idriss; Zegaoui, Malek; et al.13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Seattle, 07-07-2019, ICNS-13Communication dans un congrès avec actes -
Low on-resistance and low trapping effects in 1200 V superlattice GaN-on-silicon heterostructures
Kabouche, Riad; Abid, Idriss; Püsche, Roland; et al.physica status solidi (a); Special Issue: Nitride Semiconductors, Wiley, 04-2020, 217; 7, 1900687Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Superlattice GaN-on-silicon heterostructures with low trapping in 1200 V
Tajalli, Alaleh; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; et al.43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, cabourg, 17-06-2019, 2019 WOCSDICE proceedingCommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
Vertical leakage in GaN-on-Si stacks investigated by a buffer decomposition experiment
Tajalli, Alaleh; Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; et al.Micromachines, MDPI, 17-01-2020, 11; 1, 101, 9 pagesCompte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral