Title :

S-parameters characterization of GaN power transistors for high frequency power converters design

Author(s) :

Pace, Loris [Auteur]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]

Conference title :

International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2018

City :

Nuremberg

Country :

Allemagne

Start date of the conference :

2018-06-05

English keyword(s) :

SiC
Wide Bandgap Devices

HAL domain(s) :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Gallium Nitride (GaN) power devices that have been developed these recent years are ideals candidates for high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power converters. This work ...
Show more >Gallium Nitride (GaN) power devices that have been developed these recent years are ideals candidates for high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power converters. This work presents a new modeling methodology of GaN power transistors based on radiofrequency characterizations in order to design efficient high frequency high power converters. The characterization of extrinsic and intrinsic device's parasitic up to the gigahertz range using 2-port S-parameters measurements and characterization fixtures designed on printed circuit boards is presented in this paper.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL