S-parameters characterization of GaN power ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
S-parameters characterization of GaN power transistors for high frequency power converters design
Author(s) :
Pace, Loris [Auteur]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur]

L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]

Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
L2EP - Équipe Électronique de puissance [EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Conference title :
International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2018
City :
Nuremberg
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2018-06-05
English keyword(s) :
Wide Bandgap Devices
SiC
SiC
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Gallium Nitride (GaN) power devices that have been developed these recent years are ideals candidates for high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power converters. This work ...
Show more >Gallium Nitride (GaN) power devices that have been developed these recent years are ideals candidates for high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power converters. This work presents a new modeling methodology of GaN power transistors based on radiofrequency characterizations in order to design efficient high frequency high power converters. The characterization of extrinsic and intrinsic device's parasitic up to the gigahertz range using 2-port S-parameters measurements and characterization fixtures designed on printed circuit boards is presented in this paper.Show less >
Show more >Gallium Nitride (GaN) power devices that have been developed these recent years are ideals candidates for high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power converters. This work presents a new modeling methodology of GaN power transistors based on radiofrequency characterizations in order to design efficient high frequency high power converters. The characterization of extrinsic and intrinsic device's parasitic up to the gigahertz range using 2-port S-parameters measurements and characterization fixtures designed on printed circuit boards is presented in this paper.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Files
- document
- Open access
- Access the document
- LorisPace_S-parameters.pdf
- Open access
- Access the document
- document
- Open access
- Access the document
- LorisPace_S-parameters.pdf
- Open access
- Access the document