Caractérisation des capacités inter-électrodes d'un SiC-JFET " Normally-off " en régime désaturé

Abstract

Afin d'étudier les commutations du transistor SiC-JFET "Normally-off", l'évolution des capacités inter-électrodes est présentée dans ce papier lorsque le composant est en régime désaturé. La capacité de contre-réaction Cgd est tout d'abord caractérisée par la méthode des pinces de courant et ensuite validée par la mesure à l'aide d'analyseur d'impédance. Ces méthodes de caractérisation sont ensuite appliquées à la mesure de la capacité de sortie Coss, et montrent une forte augmentation de capacité apparente en régime désaturé. L'influence de la résistance de grille interne est alors étudiée, soulevant la problématique de mesure des capacités inter-électrodes des composants de puissance lorsque le canal conduit. Les résultats de caractérisation permettent finalement la mise en oeuvre d'un modèle comportemental dont le comportement en commutation est validé par des mesures sur un hacheur buck.