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Caractérisation et extraction du schéma équivalent petit signal en bande G de transistor bipolaire à hétérojonction SiGe:C de dernière génération et montrant des performances fT/fmax=300/400 GHz
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, Paris, 2013, Actes des 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013 -
Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction
2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius, 20-06-2017, Proceedings of International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) 2017, IEEE -
Nonlinear characterization and modeling of carbon nanotube field-effect transistors
Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)