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Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates
Electronics Letters, IET, 16-08-2001, 37; 17, 1095 – 1096Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
In situ integrated tuner approach for load-pull measurement of Si/SiGe:C HBT at 200 GHz
Electronics Letters, IET, 2014, 50, 1070-1072Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
20es Journées Nationales Microondes, Saint Malo, 2017 -
Réalisation et caractérisation de TEC GaAs à grille isolée par GaAs épitaxié à basse température
5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), Ecully, 1994 -
Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2013, 16, 1775-1778Compte-rendu et recension critique d'ouvragefulltext -
Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
Current Applied Physics, Elsevier, 2013, 13, 1359-1364Compte-rendu et recension critique d'ouvragefulltext -
Electrical effects of SiNx deposition on GaN MESFETs
Electronics Letters, IET, 12-04-2001, 37; 8, 527 – 528Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 10-2019, 66; 10, 4156-4163Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
Microelectronics Reliability, Elsevier, 09-2012, 52; 9-10, 2159 - 2163Compte-rendu et recension critique d'ouvragefulltext -
Current-voltage characteristics of (Mo/Au)/AlGaN/GaN/Si Schottky diodes
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, Lille, 2014