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Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates
Electronics Letters, IET, 16-08-2001, 37; 17, 1095 – 1096Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
In situ integrated tuner approach for load-pull measurement of Si/SiGe:C HBT at 200 GHz
Electronics Letters, IET, 2014, 50, 1070-1072Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Electrical effects of SiNx deposition on GaN MESFETs
Electronics Letters, IET, 12-04-2001, 37; 8, 527 – 528Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
300 GHz quadrature phase shift keying and QAM16 56 Gbps wireless data links using silicon photonics photodiodes
Electronics Letters, IET, 11-07-2019, 55; 14, 808-810Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
GaN-on-silicon high electron mobility transistors with blocking voltage of 3 kV
Electronics Letters, IET, 17-09-2015, 51; 19, 1532-1534Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing
Electronics Letters, IET, 2012, 48, 69-71Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Optical switching of resonant interband tunnelling diodes induced by heavy hole space charge effects
Electronics Letters, IET, 2000, 36, 974-975Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Influence of residual air gaps on the characteristics of circular polarization aperture-coupled millimeter wave microstrip antennas
Electronics Letters, IET, 2003, 39; 12, 889-891Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Characteristics of Al2O3/AllnN/GaN MOSHEMT
Electronics Letters, IET, 2007, 43, 691-692Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Indoor 60 GHz radio channel sounding and related T/R module considerations for high data rate communications
Electronics Letters, IET, 2001, 37, 654-655Compte-rendu et recension critique d'ouvrage