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Low Trapping Effects and High Electron Confinement in Short AlN/GaN-on-SiC HEMTs by Means of a Thin AlGaN Back Barrier
Micromachines, MDPI, 22-01-2023, 14; 2, 291Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Towards highly efficient high power X‐band AlN/GaN MIS HEMTs operating above 50V
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
High Breakdown Field and Low Trapping Effects up to 1400 V in Normally Off GaN‐on‐Silicon Heterostructures
European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES 2022), Istanbul, 07-05-2022, 2022Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
[Webinar] Towards high performance mm-wave GaN power transistors
pCoE - GaN Research and Development (GRAND) Webinar Series, Online, 21-04-2022 -
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Paris, 07-09-2015, 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2015), IEEE, 2015Communication dans un congrès avec actes -
Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field
International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022, Berlin, 09-10-2022, Proceeding of IWN2022Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Cl<sub>2</sub>/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers
Journal of Vacuum Science & Technology A, American Vacuum Society, 07-2019, 37; 4, 041001Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Pushing Q-band power performances by means of buffer engineering in AlN-GaN HEMTs
46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2023), Palerme (Italie), 21-05-2023, Proceeding of WOCSDICE 2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nagoya, 12-11-2023Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Role of AlGaN back-barrier in enhancing the robustness of ultra-thin AlN/GaN HEMT for mmWave applications
Microelectronics Reliability, Elsevier, 11-2023, 150, 115110Compte-rendu et recension critique d'ouvrage