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Application of the cryogenic etching for mold fabrication in Si substrates
Journée Nationales sur les Technologies Emergentes en micronanofabrication (JNTE 2017), Orléan, 20-11-2017, 20-11-2017Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Controlled elaboration of high aspect ratio cone-shape pore arrays in silicon by metal assisted chemical etching
E-MRS fall meeting 2016, Varsovie, 19-09-2016 -
Tunable Nanostructuration of Si by MACE with Pt nanoparticles under an applied external bias
10th Conference of Porous Semiconductor Science and Technology (PSST), Tarragone, 06-03-2016 -
Gravure par contact du silicium à l’aide d’électrodes en or nanoporeux
Semiconduteur et oxyde poreux (SCOPE 2017), Lille, 22-06-2017 -
Controlled elaboration of high aspect ratio cone-shape pore arrays in silicon by metal assisted chemical etching
11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE COATINGS AND NANOSTRUTURED MATERIALS (NANOSMAT), Aveiro, 06-09-2016 -
Modélisation 2D de la courbure de bandes de l'interface Pt-Si-Electrolyte, vers une meilleure compréhension des mécanismes de gravure chimique
Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV), Dourdan, 29-11-2016, 30-11-2016Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Structuration de surface de Silicium par gravure chimique assistée par des métaux nobles pour la texturisation de cellules solaires : Simulation de la modulation de la courbure de bande à l’interface Metal/Electrolyte/Silicium
Journée Nationale du Photovoltaique, Dourdan, 01-12-2015Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
Preuve de concept de texturisation de surface de Silicium par MACE pour des applications photovoltaïques
Journées Nationales du Photovoltaique 2018, Dourdan, 12-2018Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...) -
[Invited] 3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling
Semi-Conducteurs et Oxydes Poreux, 5ème journée (SCOPE 2019), Thiais, 19-06-2019