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Low on-resistance and low trapping effects in 1200 V superlattice GaN-on-silicon heterostructures
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Seattle, 07-07-2019, ICNS-13Communication dans un congrès avec actes -
Direct observation of V-pit induced vertical n-type columns disrupting vertical breakdown of AlGaN/GaN-HEMT heterostructures on Si
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Seattle, 07-07-2019, ICNS-13Communication dans un congrès avec actes -
Photon-driven degradation processes in GaN-based optoelectronic devices
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Seattle, 07-07-2019, ICNS-13Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Remarkable Lateral Breakdown Voltage in thin channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on thick AlN/Sapphire Templates
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Seattle, 07-07-2019, ICNS-13Communication dans un congrès avec actes