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Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 25-08-2020, 10; 1, 14166Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses
physica status solidi (a), Wiley, 04-2020, 217; 7, 1900760Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral