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Hot-carrier injections in SiO2
Microelectronics Reliability, Elsevier, 02-1998, 38; 1, 7-22Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2003, 43, 1713-1718Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Feedback of MEMS reliability study on the design stage : a step toward reliability aided design (RAD)
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2003, 43, 1919-1928Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2004, 44, 1375-1380Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RF-switches
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2005, 45, 1776-1781Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
Microelectronics Reliability, Elsevier, 09-2011, 51; 9-11, 1796 - 1800Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Monte Carlo simulation of electronics characteristics in short channel delta-doped AllnAs/GaInAs HEMTs
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2001, 41, 73-77Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
Microelectronics Reliability, Elsevier, 04-1998, 38; 4, 539-544Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Hot-carrier injections in SiO2
Microelectronics Reliability, Elsevier, 02-1998, 38; 1, 7-22Article dans une revue scientifique -
HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
Microelectronics Reliability, Elsevier, 04-1998, 38; 4, 539-544Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral