Above 70% PAE in Q-band with AlN/GaN HEMTs ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Above 70% PAE in Q-band with AlN/GaN HEMTs structures
Auteur(s) :
Harrouche, Kathia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
WOCSDICE2021
Ville :
Bristol
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2021-06-14
Titre de la revue :
WOCSDICE2021
Date de publication :
2021-06-14
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this paper, we report on a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performances and robustness for the thinner barrier layer, which is ...
Lire la suite >In this paper, we report on a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performances and robustness for the thinner barrier layer, which is attributed to the reduced mechanical strain into the heterostructure. The impact of the gateto-drain distance (LGD) on the RF performances has been studied at 40 GHz. Pulsed mode large signal characteristics reveal an outstanding combination of power added efficiency (PAE) of 72% with a saturated output power density (POUT) > 3.5 W/mm at VDS = 20V with LGD=0.5 µm. Furthermore, short term RF reliability assessment demonstrates a promising robustness.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, we report on a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performances and robustness for the thinner barrier layer, which is attributed to the reduced mechanical strain into the heterostructure. The impact of the gateto-drain distance (LGD) on the RF performances has been studied at 40 GHz. Pulsed mode large signal characteristics reveal an outstanding combination of power added efficiency (PAE) of 72% with a saturated output power density (POUT) > 3.5 W/mm at VDS = 20V with LGD=0.5 µm. Furthermore, short term RF reliability assessment demonstrates a promising robustness.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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