On the correlation between kink effect and ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
On the correlation between kink effect and effective mobility in InAlN/GaN HEMTs
Auteur(s) :
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Agboton, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ouhachi, Rezki [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Frayssinet, Éric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Agboton, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ouhachi, Rezki [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Frayssinet, Éric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Titre de la manifestation scientifique :
9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC)
Ville :
Rome
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2014-10-06
Titre de l’ouvrage :
9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2014
Mot(s)-clé(s) en anglais :
InAlN/GaN
high electron mmobility transistor (HEMT)
kink effect
effective mobility
traps
high electron mmobility transistor (HEMT)
kink effect
effective mobility
traps
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
This paper reports on the kink effect observed in InAlN/GaN high electron mobility transistors. Electrical characterizations were carried out to point out the influence of this phenomenon on transistor behaviour. It is ...
Lire la suite >This paper reports on the kink effect observed in InAlN/GaN high electron mobility transistors. Electrical characterizations were carried out to point out the influence of this phenomenon on transistor behaviour. It is demonstrated that the kink effect is directly correlated to shallow traps located under the conduction band. A model is proposed to highlight the influence of scattering effects on the effective mobility, permitting to describe accurately the locus of the so-called kink voltage for a gate bias close to the pinch-off voltage.Lire moins >
Lire la suite >This paper reports on the kink effect observed in InAlN/GaN high electron mobility transistors. Electrical characterizations were carried out to point out the influence of this phenomenon on transistor behaviour. It is demonstrated that the kink effect is directly correlated to shallow traps located under the conduction band. A model is proposed to highlight the influence of scattering effects on the effective mobility, permitting to describe accurately the locus of the so-called kink voltage for a gate bias close to the pinch-off voltage.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :