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Correlating structure and detection ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1021/acs.nanolett.0c04346
Title :
Correlating structure and detection properties in HgTe nanocrystal films
Author(s) :
Chee, Sang-Soo [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Gréboval, Charlie [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Magalhaes, Debora [Auteur]
Universiteit Antwerpen = University of Antwerpen [Antwerpen]
Dang, Tung [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Ramade, Julien [Auteur]
Universiteit Antwerpen = University of Antwerpen [Antwerpen]
Chu, Audrey [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Qu, Junling [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Rastogi, Prachi [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Khalili, Adrien [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dang, Tung Huu [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dabard, Corentin [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Prado, Yoann [Auteur]
Nanostructures et optique [INSP-E4]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Chaste, Julien [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Rosticher, Michael [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Bals, Sara [Auteur]
Universiteit Antwerpen = University of Antwerpen [Antwerpen]
Delerue, Christophe [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lhuillier, Emmanuel [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Journal title :
Nano Letters
Pages :
4145-4151
Publisher :
American Chemical Society
Publication date :
2021-05-26
ISSN :
1530-6984
English keyword(s) :
HgTe
electron tomography
tight binding
simulation
p−n junction
field-effect transistor
gate effect
HAL domain(s) :
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
English abstract : [en]
HgTe nanocrystals (NCs) enable broadly tunable infrared absorption, now commonly used to design light sensors. This material tends to grow under multipodic shapes and does not present well-defined size distributions. Such ...
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HgTe nanocrystals (NCs) enable broadly tunable infrared absorption, now commonly used to design light sensors. This material tends to grow under multipodic shapes and does not present well-defined size distributions. Such point generates traps and reduces the particle packing, leading to a reduced mobility. It is thus highly desirable to comprehensively explore the effect of the shape on their performance. Here, we show, using a combination of electron tomography and tight binding simulations, that the charge dissociation is strong within HgTe NCs, but poorly shape dependent. Then, we design a dual-gate field-effect-transistor made of tripod HgTe NCs and use it to generate a planar p–n junction, offering more tunability than its vertical geometry counterpart. Interestingly, the performance of the tripods is higher than sphere ones, and this can be correlated with a stronger Te excess in the case of sphere shapes which is responsible for a higher hole trap density.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Détecteur plasmonique à nanoCristaux colloïdaux: une nouvelle filière pour l'OPtoélectronique INfrarouge
Nanocristaux Colloïdaux Dopés Infrarouges
Nanocristaux de perovskite inorganique pour la nanophotonique
Design et fabrication d'un plan focal dans le proche infrarouge à base de nanocrisrtaux
Tuning Giant Rashba Spin-Orbit Coupling in Polar Single Layer Transition Metal Dichalcogenides
MATerials, InterfaceS, Surfaces, Environment
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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