High electron mobility in high-polarization ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
High electron mobility in high-polarization sub-10 nm barrier thickness InAlGaN/GaN heterostructure
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Linge, Astrid [Auteur]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Gamarra, Piero [Auteur]
Lacam, Cédric [Auteur]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Linge, Astrid [Auteur]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]

Gamarra, Piero [Auteur]
Lacam, Cédric [Auteur]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Express
Pages :
101001
Publisher :
IOPScience - Japan Society of Applied Physics
Publication date :
2015-10-01
ISSN :
1882-0786
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :