Title :

High electron mobility in high-polarization sub-10 nm barrier thickness InAlGaN/GaN heterostructure

Author(s) :

Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Linge, Astrid [Auteur]
Grimbert, Bertrand [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Gamarra, Piero [Auteur]
Lacam, Cédric [Auteur]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]

Journal title :

Applied Physics Express

Pages :

101001

Publisher :

IOPScience - Japan Society of Applied Physics

Publication date :

2015-10-01

ISSN :

1882-0786

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL