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Theoretical simulation of free carrier ...
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Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1088/0953-8984/12/49/321
Title :
Theoretical simulation of free carrier mobility collapse in GaN in terms of dislocation walls
Author(s) :
Farvacque, J-L [Auteur]
Bougrioua, Zahia [Auteur] orcid refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Moerman, I [Auteur]
Journal title :
Journal of Physics: Condensed Matter
Pages :
10213-10221
Publisher :
IOP Publishing [1989-....]
Publication date :
2000-12-11
ISSN :
0953-8984
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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