Modelling and Simulation of Heterojunction ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range
Auteur(s) :
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Deng, Marina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chhandak, Mukherjee [Auteur]
Maneux, Cristell [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Deng, Marina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chhandak, Mukherjee [Auteur]
Maneux, Cristell [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Titre de la manifestation scientifique :
XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices: IWPSD 2019
Ville :
Kolkata
Pays :
Inde
Date de début de la manifestation scientifique :
2019-12-17
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02453238/file/zimmer-IWPSD.pdf
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- zimmer-IWPSD.pdf
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