• English
    • français
  • Help
  •  | 
  • Contact
  •  | 
  • About
  •  | 
  • Login
  • HAL portal
  •  | 
  • Pages Pro
  • EN
  •  / 
  • FR
View Item 
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Substrate Effect on InGaN Optoelectronic ...
  • BibTeX
  • CSV
  • Excel
  • RIS

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/IRSEC.2018.8702885
Title :
Substrate Effect on InGaN Optoelectronic Properties
Author(s) :
Bellil, Wafa [Auteur]
Aissat, Abdelkader [Auteur]
Université Saâd Dahlab Blida 1 [UB1]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur] refId
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
6th International Renewable and Sustainable Energy Conference (IRSEC)
City :
Rabat
Country :
Maroc
Start date of the conference :
2018-12-05
Publisher :
IEEE
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Université de Lille

Mentions légales
Université de Lille © 2017