Titre :

Theoretical Study of Intersubband Absorption Coefficient in GaNAsBi/GaAs Quantum Well Structures

Auteur(s) :

Chenini, Lynda [Auteur]
Laboratoire de Traitement de Signal et Imagerie [Blida] [LATSI]
Aissat, Abdelkader [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire de Traitement de Signal et Imagerie [Blida] [LATSI]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

1st International Conference on Electronic Engineering and Renewable Energy

Ville :

Saidia

Pays :

Maroc

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-04-15

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 1st International Conference on Electronic Engineering and Renewable Energy

Date de publication :

2019-08-02

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Intersubband transition
BAC model
Absorption coefficient
GaNAsBi/GaAs

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

This work focuses on the study and simulation of a based intersubband GaNAsBi/GaAs quantum well structure. The effect of different physical and optical parameters has been explored. The band gap of GaNAsBi is calculated ...
Lire la suite >This work focuses on the study and simulation of a based intersubband GaNAsBi/GaAs quantum well structure. The effect of different physical and optical parameters has been explored. The band gap of GaNAsBi is calculated using the band anti-crossing model. The influence of the composition and the quantum well width on the intersubband transition within the conduction band has been examined and discussed. We will discuss in detail the influence of these structural parameters on the intersubband absorption coefficient. So, two features have been observed: the evolution of characteristics and the shift of the corresponding emission wavelength. Our simulation contributes to designing and fabricating based GaNAsBi/GaAs optoelectronic intersubband devices in the mid infrared region.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL