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Morphology and valence band offset of GaSb ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1088/1361-6528/aa6f41
Title :
Morphology and valence band offset of GaSb quantum dots grown on GaP(001) and their evolution upon capping
Author(s) :
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, david [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Bonato, Leo [Auteur]
Bimberg, Dieter [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TU]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Nanotechnology
Pages :
225601
Publisher :
Institute of Physics
Publication date :
2017-06-02
ISSN :
0957-4484
HAL domain(s) :
Chimie/Matériaux
Chimie/Cristallographie
Physique [physics]/Physique [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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