Title :

Surface spinodal decomposition in low temperature Al0.48In0.52As grown on InP(001) by molecular beam epitaxy

Author(s) :

Grenet, G. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Gendry, Michel [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Oustric, M. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Robach, Y. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Porte, L. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Hollinger, G. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Marty, O. [Auteur]
Département de Physique des Matériaux [DPM]
Pitaval, M. [Auteur]
Département de Physique des Matériaux [DPM]
Priester, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Surface Science

Pages :

324 - 328

Publisher :

Elsevier

Publication date :

1998

ISSN :

0169-4332

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

The clustering development for lattice-matched A104s ln0.52 As grown on (001) oriented InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE) has been investigated by ex-situ transmission electron microscopy (TEM) and in-situ ...
Show more >The clustering development for lattice-matched A104s ln0.52 As grown on (001) oriented InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE) has been investigated by ex-situ transmission electron microscopy (TEM) and in-situ scanning tunnelling microscopy (STM). For a growth temperature of 450°C, a V/III beam equivalent pressure (BEP) ratio equal to 20 and a growth rate of 1 p,m h-~, the clusters are strongly anisotropic: typically, 2 nm along the [110] direction, 30 50 nm along the [1i0] direction and 20 nm along the [001] direction. We show theoretically that such a spinodal decomposition would be forbidden if the surface of the deposited film is perfectly flat. We also demonstrate that this decomposition appears to be possible if the surface roughness is sufficient to allow a partial elastic relaxation.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL