Title :

Tunneling spectroscopy of p-type doping in silicon from boron-containing molecular monolayer

Author(s) :

Sossoe, K.K. [Auteur]
Durand, Corentin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mathey, L. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Alphazan, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Sylla, A. [Auteur]
Dzagli, M.M. [Auteur]
Mohou, A. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thieuleux, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Coperet, C. [Auteur]
Barnes, J.P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

MICROELECTRONIC ENGINEERING

Pages :

125-128

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2016-01

ISSN :

0167-9317

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL