Title :

Atomic scale investigation of silicon nanowires and nanoclusters

Author(s) :

Roussel, M. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Chen, W.H. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Talbot, Etienne [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Larde, R. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Cadel, E. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Gourbilleau, F. [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]

Journal title :

Nanoscale Research Letters

Pages :

271-1-6

Publisher :

SpringerOpen

Publication date :

2011

ISSN :

1931-7573

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]

English abstract : [en]

In this study, we have performed nanoscale characterization of Si-clusters and Si-nanowires with a laser-assisted tomographic atom probe. Intrinsic and p-type silicon nanowires (SiNWs) are elaborated by chemical vapor ...
Show more >In this study, we have performed nanoscale characterization of Si-clusters and Si-nanowires with a laser-assisted tomographic atom probe. Intrinsic and p-type silicon nanowires (SiNWs) are elaborated by chemical vapor deposition method using gold as catalyst, silane as silicon precursor, and diborane as dopant reactant. The concentration and distribution of impurity (gold) and dopant (boron) in SiNW are investigated and discussed. Silicon nanoclusters are produced by thermal annealing of silicon-rich silicon oxide and silica multilayers. In this process, atom probe tomography (APT) provides accurate information on the silicon nanoparticles and the chemistry of the nanolayers.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL