Title :

Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress

Author(s) :

Lakhdar, Hadhemi [Auteur]
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Defrance, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dejaeger, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, Nathalie [Auteur]

Journal title :

Microelectronics Reliability

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2016

ISSN :

0026-2714

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL