Title :

Transistors à effet de champ sur GaN pour applications de puissance et à haute température

Author(s) :

Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Theron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, Nicolas [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lahreche, H. [Auteur]
Omnes, Franck [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Huet, Fabrice [Auteur]
Poisson, M. A. [Auteur]

Conference title :

GDR Matériaux Grand Gap

City :

Aussois

Country :

France

Start date of the conference :

1999

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Français

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Submission date :

2021-07-27T12:08:40Z