Title :

LP-MOCVD growth of GaN MESFETS

Author(s) :

Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Huet, Fabrice [Auteur]
Romann, A. [Auteur]
Tordjman, M. [Auteur]
Trassaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Theron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seitz, R. [Auteur]
Pereira, Edmundo [Auteur]
Di Persio, J. [Auteur]

Conference title :

8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques (EW MOVPE VIII)

City :

Prague

Country :

République tchèque

Start date of the conference :

1999

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Submission date :

2021-07-27T12:09:57Z