Characterisation of LT GaAs FET’s as a ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature
Author(s) :
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Lipka, M. [Auteur]
Splingart, B. [Auteur]
Kohn, Erhard [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Lipka, M. [Auteur]
Splingart, B. [Auteur]
Kohn, Erhard [Auteur]
Conference title :
IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design
City :
Kassel
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
1997
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :