Title :

High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate

Author(s) :

Werquin, M. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, S. [Auteur]

Journal title :

Electronics Letters

Publisher :

IET

Publication date :

2005

ISSN :

0013-5194

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL