High power and linearity performances of ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate
Author(s) :
Werquin, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, S. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Hoel, Virginie [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, S. [Auteur]
Journal title :
Electronics Letters
Publisher :
IET
Publication date :
2005
ISSN :
0013-5194
English keyword(s) :
III-V semiconductors, power transistors, wide band gap semiconductors, aluminium compounds, gallium compounds, intermodulation, high electron mobility transistors
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
English abstract : [en]
The benefit of high drain-source bias voltages of GaN devices on sapphire substrates for high linearity applications is demonstrated. Whatever the output power densities considered, the corresponding intermodulation ratio ...
Show more >The benefit of high drain-source bias voltages of GaN devices on sapphire substrates for high linearity applications is demonstrated. Whatever the output power densities considered, the corresponding intermodulation ratio is at least 20 dB better than usual PHEMT devices on GaAs substrates for the same power density. This study demonstrates that GaN devices are ideal candidates for applications requiring high power and high linearity behaviours simultaneously.Show less >
Show more >The benefit of high drain-source bias voltages of GaN devices on sapphire substrates for high linearity applications is demonstrated. Whatever the output power densities considered, the corresponding intermodulation ratio is at least 20 dB better than usual PHEMT devices on GaAs substrates for the same power density. This study demonstrates that GaN devices are ideal candidates for applications requiring high power and high linearity behaviours simultaneously.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :