Title :

Raman characterization of SiNx deposition on undoped Al0.48In0.52As and n+ Ga0.47In0.53As layers for InP high electron mobility transistor applications

Author(s) :

Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Lorriaux, A. [Auteur]
Lefebvre, N. [Auteur]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

3221 - 3223

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

1999-05-24

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL