Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements
Author(s) :
Sahoo, A.K. [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Subramani, N.K. [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Nallatamby, Jean-Christophe [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Sommet, Raphaël [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Quéré, R [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Rolland, N [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016
City :
London, UK
Country :
Royaume-Uni
Start date of the conference :
2016
Publication date :
2016-10
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
English abstract : [en]
no abstract
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL