Croissance localisée d'InAs par épitaxie ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires
Author(s) :
Fahed, Maria [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
City :
Villeneuve d'Ascq
Country :
France
Start date of the conference :
2014
Book title :
Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Publication date :
2014
French abstract :
Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à ...
Show more >Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).Show less >
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Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :