Engineering of oxide based resistive ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Engineering of oxide based resistive switching for passive crossbar integration
Author(s) :
Alibart, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
La Barbera, Selina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Minvielle, Marie [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Saint-Girons, Guillaume [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Bachelet, Romain [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Dubourdieu, Catherine [Auteur]
Institut des Nanotechnologies de Lyon [INL]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
La Barbera, Selina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vuillaume, Dominique [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Minvielle, Marie [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Saint-Girons, Guillaume [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Bachelet, Romain [Auteur]
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures [INL - H&N]
Dubourdieu, Catherine [Auteur]
Institut des Nanotechnologies de Lyon [INL]
Conference title :
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium S - Memristormaterials, mechanisms and devices for unconventional computing
City :
San Francisco
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2014-04-21
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :