0.2-μm InP/GaAsSb DHBT power performance ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
0.2-μm InP/GaAsSb DHBT power performance with 10 mW/μm² and 25% PAE at 94 GHz
Auteur(s) :
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mairiaux, Estelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Frijlink, Peter [Auteur]
OMMIC
Rocchi, Marc [Auteur]
OMMIC
Maher, Hassan [Auteur]
OMMIC
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mairiaux, Estelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Frijlink, Peter [Auteur]
OMMIC
Rocchi, Marc [Auteur]
OMMIC
Maher, Hassan [Auteur]
OMMIC
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
321-323
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2014
ISSN :
0741-3106
Mot(s)-clé(s) en anglais :
power
load pull
94 GHz
DHBT
GaAsSb/InP
load pull
94 GHz
DHBT
GaAsSb/InP
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We report a 94-GHz large-signal load-pull characterization of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors. The investigated devices have an emitter area of 0.20 × 9.5 μm2. Biased for highest power added efficiency ...
Lire la suite >We report a 94-GHz large-signal load-pull characterization of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors. The investigated devices have an emitter area of 0.20 × 9.5 μm2. Biased for highest power added efficiency (PAE), an output power of 6.62 mW/μm2 (11 dBm), a power gain of 5.2 dB, and a PAE of 27.7% have been obtained. Biased for highest output power, 10.26 mW/μm2 (12.8 dBm) has been achieved without significant degradation of the PAE (25.2%) and the power gain (4.5 dB).Lire moins >
Lire la suite >We report a 94-GHz large-signal load-pull characterization of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors. The investigated devices have an emitter area of 0.20 × 9.5 μm2. Biased for highest power added efficiency (PAE), an output power of 6.62 mW/μm2 (11 dBm), a power gain of 5.2 dB, and a PAE of 27.7% have been obtained. Biased for highest output power, 10.26 mW/μm2 (12.8 dBm) has been achieved without significant degradation of the PAE (25.2%) and the power gain (4.5 dB).Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :