High frequency noise characterisation of ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/MWSYM.2013.6697561
Title :
High frequency noise characterisation of graphene FET Device
Author(s) :
Mele, David [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fregonese, S. [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pichonat, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013
City :
Seattle, WA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2013
Publication date :
2013
Keyword(s) :
graphene
FET
high frequency noise
LNA
circuit
small signal model
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
RF GFET devices have been processed on SiC wafer using Al2O3 as a gate oxide. These devices have been characterised with DC, S parameter and high frequency noise measurement (NF50). The noise parameters have been extracted ...
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Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL