AlN/IDT/AlN/Sapphire as packageless structure ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
AlN/IDT/AlN/Sapphire as packageless structure for SAW applications in harsh environments
Auteur(s) :
Legrani, Ouarda [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Elmazria, Omar [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Bartasyte, A. [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Aubert, Thierry [Auteur]
Laboratoire SYstèmes et Matériaux pour la MEcatronique [SYMME]
Talbi, Abdelkrim [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut Jean Lamour [IJL]
Elmazria, Omar [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Bartasyte, A. [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Aubert, Thierry [Auteur]
Laboratoire SYstèmes et Matériaux pour la MEcatronique [SYMME]
Talbi, Abdelkrim [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE International Ultrasonics Symposium
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2012
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of IEEE International Ultrasonics Symposium
Date de publication :
2012-10
Résumé en anglais : [en]
Packageless heterostructure AlN/IDT/AlN/Sapphire was investigated as a solution protection of the interdigital transducer against agglomeration phenomena at high temperature. For this purpose, the performance of conventional ...
Lire la suite >Packageless heterostructure AlN/IDT/AlN/Sapphire was investigated as a solution protection of the interdigital transducer against agglomeration phenomena at high temperature. For this purpose, the performance of conventional IDT/AlN/Sapphire and protected AlN/IDT/AlN/Sapphire heterostructures were compared. The capability of AlN protective thin film to minimize the deterioration of electrodes was shown.Lire moins >
Lire la suite >Packageless heterostructure AlN/IDT/AlN/Sapphire was investigated as a solution protection of the interdigital transducer against agglomeration phenomena at high temperature. For this purpose, the performance of conventional IDT/AlN/Sapphire and protected AlN/IDT/AlN/Sapphire heterostructures were compared. The capability of AlN protective thin film to minimize the deterioration of electrodes was shown.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :