120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2013.6562604
Title :
120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax
Author(s) :
Gardes, C. [Auteur]
Bagumako, S.M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Danneville, Francois [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013
City :
Kobe
Country :
Japon
Start date of the conference :
2013
Book title :
Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013
Publication date :
2013
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL