Anomaly and defects characterization by ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's
Author(s) :
Saadaoui, S. [Auteur]
Ben Salem, M.M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]
Ben Salem, M.M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]
Conference title :
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012
City :
Porquerolles
Country :
France
Start date of the conference :
2012
Book title :
Proceedings of 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012
Publication date :
2012
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :