Lattice matched and pseudomorphic InGaAs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Lattice matched and pseudomorphic InGaAs MOSHEMT with fT of 200GHz
Author(s) :
Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]

Roelens, Yannick [Auteur]

Zaknoune, M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012
City :
Santa Barbara, CA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2012
Book title :
Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012
Publication date :
2012
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :