High frequency epitaxial graphene fields ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC
Author(s) :
Mele, David [Auteur] refId
Pichonat, E. [Auteur]
Fregonese, S. [Auteur]
Ouerghi, A. [Auteur]
Happy, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012
City :
Madrid
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2012
Book title :
Proceedings of 13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012
Publication date :
2012
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL