Titre :

In0.53Ga0.47As MOSFET with gate-first and gate-last process

Auteur(s) :

Mo, J.J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012

Ville :

Porquerolles

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2012

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012

Date de publication :

2012

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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