100nm-gate InAlAs/InGaAs HEMTs on plastic ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
100nm-gate InAlAs/InGaAs HEMTs on plastic flexible substrate with high cut-off frequencies
Auteur(s) :
Shi, J.S. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012
Ville :
Santa Barbara, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2012
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012
Date de publication :
2012
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :