Recent achievement in the GaN epitaxy on ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1557/PROC-1108-A04-01
Title :
Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production
Author(s) :
Wilk, A. [Auteur]
Lijadi, M. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]
Blanck, H. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
Defrance, N. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2008, Symposium on Performance and Reliability of Semiconductor Devices
City :
Boston, MA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2008
Book title :
Materials Research Society Symposium Proceedings, 1108
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL