75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency
Author(s) :
Lecourt, F. [Auteur]
Defrance, N. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Ketteniss, N. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Eickelkamp, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Giesen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
Conference title :
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011
City :
Manchester
Country :
Royaume-Uni
Start date of the conference :
2011
Book title :
Proceedings of 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011
Publication date :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL