Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud ...

Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques
Author(s) :
Lacave, Thomas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2011
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
Harvested from HAL