Etude et développement de transistors ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Etude et développement de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb reportés sur Si en vue de la dissipation thermique
Author(s) :
Thiam, Ndèye Arame [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2012
Language :
Français
Collections :
Source :
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