AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/LED.2012.2224313
Title :
AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX
Author(s) :
Bouzid-Driad, S. [Auteur]
Maher, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur] refId
Hoel, Virginie [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Renvoise, M. [Auteur]
Frijlink, P. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
36-38
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2013
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL