Title :

Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate

Author(s) :

Mattalah, M. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Ahaitouf, A. [Auteur]
Defrance, N. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Physica Status Solidi (c)

Pages :

1083-1087

Publisher :

Wiley

Publication date :

2012

ISSN :

1610-1634

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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