Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate
Author(s) :
Mattalah, M. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Ahaitouf, A. [Auteur]
Defrance, N. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, A. [Auteur]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Ahaitouf, A. [Auteur]
Defrance, N. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Physica Status Solidi (c)
Pages :
1083-1087
Publisher :
Wiley
Publication date :
2012
ISSN :
1610-1634
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :
Files
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