Electrical properties of InAs1-xSbx and InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy

Document type :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Title :

Author(s) :

Thelander, C. [Auteur]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Dick, K.A. [Auteur]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

232105-1-4

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2012

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

Source :

https://openresearch-repository.anu.edu.au/bitstream/1885/15697/1/01_Thelander_Electrical_properties_of_2012.pdf
Open access
Access the document

Electrical properties of InAs1-xSbx and ... BibTeX CSV Excel RIS